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2020年第一季度寬禁帶半導體相關項目彙總

2020年第一季度寬禁帶半導體相關項目彙總


 

 

轉自“芯思想ChipInsights”


投産項目

 

1、中國電科(山西)碳化矽材料産業基地

 

202033日,中國電科(山西)碳化矽材料産業基地一期項目投産。

 

項目于201941日開工建設, 926日封頂。建築面積 2.7 萬平方米,能容納 600 台碳化矽單晶生産爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測能力,可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片产能。

 

 2007 年,中國電科 2 所便著手布局碳化矽單晶襯底材料的研制規劃,依靠自身在電子專用設備研發領域的技術優勢,潛心鑽研著碳化矽單晶生長爐的研制。目前全面掌握了高純碳化矽粉料制備工藝、4 英寸高純半絕緣碳化矽單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化矽粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化矽材料研制線,在國內最早實現了高純碳化矽材料、高純半絕緣晶片量産。

 

2、積塔6 英寸碳化矽生産線

 

3月,積塔半導體的6 英寸碳化矽生産線正式测通线运行。

 

開工項目

 

1天和通訊徐州第三代半導體産業基地項目

 

1月,總投資達到60億元天和通訊徐州第三代半導體産業基地舉行了開工儀式

 

該項目主要從事第三代半導體矽基氮化镓高性能芯片和器件的全産業鏈生産。項目全面達産後,可年産33密耳、55密耳、70密耳芯片200億顆及各類5G芯片共約10億顆。

 

2綠能芯創碳化矽芯片項目

2020221,投資20億元的綠能芯創碳化矽芯片項目山東淄博高新區開工。

 

項目建設的6英寸碳化矽芯片生産線,主要從事大功率分立器件、芯片系列産品的設計、制造,以及功率模塊應用、制造流程的研發

 

3、博方嘉芯氮化镓射频及功率器件項目

 

202033,投資25億元的嘉兴博方嘉芯氮化镓射频及功率器件項目開工啓動。

 

項目一期建設6英寸兼容4英寸氮化镓生産線,設計月産能爲1000片氮化镓射頻晶圓;二期建設6英寸兼容4英寸氮化镓生産線和外延片生産線,設計月産能爲3000片氮化镓射頻晶圓、月産能20000片氮化镓功率晶圓

 

簽約項目

 

1高啓電子氮化镓外延片項目

 

118第三代半导体外延片生产线項目簽約。項目由許昌高啓電子科技有限責任公司投資,以研發、生産全球半導體領域最前沿的氮化镓外延片、芯片爲主

 

許昌高啓電子科技有限責任公司成立于20191230日,注冊資本3億元,董事長徐志成。

 

2泰科天潤運營總部碳化矽器件生産基地項目

 

2月,泰科天潤半导体科技(北京)有限公司中关村科技园区顺义园管理委员会签订項目入区协议。公司将整体迁入顺义区,在临空国际板块占地20畝,總投資4億元,建设運營總部及应用于新能源汽车、国家电网等领域的碳化矽器件生産基地,項目建设期2年。

 

3、徐州碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发項目

 

2020217,投資3億元的碳化硅功率半导体模块封测及封装材料研发項目簽約江蘇徐州高新區。項目主要從事碳化矽(SiC)功率半导体模块的封测,研发生产耐高温、耐腐蚀的先进封装材料,一期項目建成投产后,年产碳化硅模块约20萬只;二期項目建成投产后,可年产碳化硅模块约50萬只

 

4、海甯碳化硅材料研发及制造項目

2020221,投資2亿美元碳化硅材料研发及制造項目簽約浙江海甯。項目主要從事炭化矽材料研發及制造

 

5吳越半導體氮化镓衬底及芯片制造項目

2020221,投資37億元吳越半導體氮化镓衬底及芯片制造項目簽約江蘇無錫。項目主要進行2-6英寸氮化镓自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生産

 

吳越半導體成立于2019313日,注冊資金588萬元。

 

6、合肥世紀金光産業項目

 

3月,合肥産投資本管理的語音基金與北京世紀金光半導體有限公司簽署投資協議並完成首期出資,在合肥高新區投資建設6英寸碳化硅单晶生长及加工項目。这是合肥首个第三代半导体产业項目

 

北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年,總部位于北京經濟技術開發區,是國家大基金在第三代半導體領域投資的重點企業之一20186月,大基金投資2957萬元,持股10.55%

 

7同光晶体碳化硅单晶衬底項目

 

322日,河北同光晶體有限公司年産10萬片碳化硅单晶衬底項目簽約涞源。項目主要生产直徑4-6英寸碳化矽單晶襯底

 

河北同光晶體有限公司成立于2012年,位于保定市高新技術開發區,主要從事第三代半導體材料碳化矽襯底的研發和生産。公司主要産品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化矽襯底


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